东芝公司最新发布容量高达32GB的嵌入式NAND flash闪存芯片，并宣称此列规格已经达到当前单体密度的最大值，全兼容当前的e-MMC和eSD标准，预计样片会在今年9月出货，今年Q4开始量产。

东芝32GB容量嵌入式闪存芯片由8颗32G bit的NAND flash闪存芯片构成，采用东芝43纳米制程技术生产，并直接内部集成控制器，全面兼容JEDEC的MMCA 4.3，以及SDA的2.0标准。

如此，成品厂商就可以直接采购带有专用控制器的闪存芯片加上外壳封装制作成品，极大降低后期制造封装环节可能产生的成本，增强竞争力，并有效降低成品价格。