英特尔的P45芯片组即将登场亮相，与上一代的P35相比，换用了65nm工艺制造(P35为90nm工艺)、更好地支持DDR3内存和45nm四核心处理器、支持PCI-E 2.0规范等等。全新的65nm工艺让P45芯片的核心面积缩小，同时发热量也有所降低。

近日，技嘉的P35-DS5主板也是最新曝光，基于P45+ICH10R的芯片组设计，支持1600MHz FSB，支持全系列LGA775接口处理器，支持45nm双核/四核产品。支持双通道DDR2 1200/1066/800MHz内存，最高支持8GB的容量。

与左边P35主板的对比

支持10个SATA 3Gbps接口，其中6个为ICH10R提供，另外4个通过第三方芯片Silicon IMAGe SiL5723CNU提供。另外有技嘉JMicron PATA控制器提供了1个IDE设备接口。