Digitimes消息，现代今天发布了其基于60nm 1Gbit DDR2 DRAM芯片的高容量内存模组家族。该系列新内存将适用于像图形和移动型DRAM这样的高密度DRAM组件和高性能产品。现代称其将在2007年上半年进行该内存系列的量产。

1GB和2GB UDIMMs内存通过了i英特尔的认证，工作频率为800MHz，随着现代的60nm制程技术的提高，1Gbit DRAM的生产成本将比基于80nm技术的内存降低50%。

这次发布将使现代可以降低4GB或者以上容量的RDIMM和FB-DIMM的生产成本。